MJE802G

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Herstellerteil

MJE802G

Hersteller
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN DARL 80V 4A TO225AA
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
MJE802G PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:NPN - Darlington
  • Strom - Kollektor (ic) (max):4 A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):80 V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:2.5V @ 30mA, 1.5A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):100µA
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:750 @ 1.5A, 3V
  • Leistung max:40 W
  • Frequenz - Übergang:-
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-225AA, TO-126-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-225AA
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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