STW33N60M2

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Herstellerteil

STW33N60M2

Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 26A TO247
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
20000
Datenblätter online
STW33N60M2 PDF
Anfrage
  • Serie:MDmesh™ II Plus
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):600 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:26A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:125mOhm @ 13A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:45.5 nC @ 10 V
  • vgs (max):±25V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1781 pF @ 100 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):190W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-247
  • Paket / Koffer:TO-247-3
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Rückgabe / Garantie Rückkehr Rücksendungen werden normalerweise akzeptiert, wenn sie innerhalb von 30 Tagen ab Versanddatum abgeschlossen sind. Bitte wenden Sie sich an den Kundendienst, um eine Rücksendegenehmigung zu erhalten.
Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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