STP3N80K5

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Herstellerteil

STP3N80K5

Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
919
Datenblätter online
STP3N80K5 PDF
Anfrage
  • Serie:SuperMESH5™
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Not For New Designs
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):800 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:2.5A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:3.5Ohm @ 1A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 100µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:9.5 nC @ 10 V
  • vgs (max):30V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:130 pF @ 100 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):60W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-220
  • Paket / Koffer:TO-220-3
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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