Name: FDB86102LZ
Brand: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
SKU: FDB86102LZ
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: FDB86102LZ

Hersteller: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 8.3A/30A TO263

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 5579600

Datenblätter online: FDB86102LZ PDF

FDB86102LZ Notiz

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Serie:PowerTrench®
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:8.3A (Ta), 30A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:24mOhm @ 8.3A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:21 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1275 pF @ 50 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):3.1W (Ta)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:TO-263AB
Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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