STW34N65M5

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Herstellerteil

STW34N65M5

Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 28A TO247
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
1963
Datenblätter online
STW34N65M5 PDF
Anfrage
  • Serie:MDmesh™ V
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:28A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:110mOhm @ 14A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:62.5 nC @ 10 V
  • vgs (max):±25V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:2700 pF @ 100 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):190W (Tc)
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-247
  • Paket / Koffer:TO-247-3
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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