STW12N120K5

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Herstellerteil

STW12N120K5

Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 12A TO247
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
4000
Datenblätter online
STW12N120K5 PDF
Anfrage
  • Serie:MDmesh™ K5
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):1200 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:12A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:690mOhm @ 6A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 100µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:44.2 nC @ 10 V
  • vgs (max):±30V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1370 pF @ 100 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):250W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-247
  • Paket / Koffer:TO-247-3
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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