STL12N65M5

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Herstellerteil

STL12N65M5

Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 8.5A POWERFLAT
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
STL12N65M5 PDF
Anfrage
  • Serie:MDmesh™ V
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Obsolete
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:8.5A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:530mOhm @ 4.25A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:5V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:17 nC @ 10 V
  • vgs (max):±25V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:644 pF @ 100 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):48W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:PowerFlat™ (5x6)
  • Paket / Koffer:8-PowerVDFN
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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