Name: SCTH40N120G2V7AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: SCTH40N120G2V7AG
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: SCTH40N120G2V7AG

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: SICFET N-CH 650V 33A H2PAK-7

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 0

Datenblätter online: -

SCTH40N120G2V7AG Notiz

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Serie:Automotive, AEC-Q101
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:33A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):18V
rds auf (max) @ id, vgs:105mOhm @ 20A, 18V
vgs(th) (max) @ id:5V @ 1mA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:63 nC @ 18 V
vgs (max):+22V, -10V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1230 pF @ 800 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):250W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:H2PAK-7
Paket / Koffer:TO-263-8, D²Pak (7 Leads + Tab), TO-263CA

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