NGTG35N65FL2WG

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Herstellerteil

NGTG35N65FL2WG

Hersteller
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT FIELD STOP 650V 70A TO247-3
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - einzeln
Serie
-
Auf Lager
110
Datenblätter online
NGTG35N65FL2WG PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Last Time Buy
  • igbt-Typ:Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):70 A
  • Strom - Kollektor gepulst (icm):120 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2V @ 15V, 35A
  • Leistung max:300 W
  • Schaltenergie:840µJ (on), 280µJ (off)
  • Eingabetyp:Standard
  • Gate-Gebühr:125 nC
  • td (ein/aus) bei 25 °c:72ns/132ns
  • Testbedingung:400V, 35A, 10Ohm, 15V
  • Rückwärtserholzeit (trr):-
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-247-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-247-3
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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