FGH50N6S2D

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Herstellerteil

FGH50N6S2D

Hersteller
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung
IGBT 600V 75A TO247-3
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - einzeln
Serie
-
Auf Lager
3000
Datenblätter online
FGH50N6S2D PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Last Time Buy
  • igbt-Typ:-
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):600 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):75 A
  • Strom - Kollektor gepulst (icm):240 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2.7V @ 15V, 30A
  • Leistung max:463 W
  • Schaltenergie:260µJ (on), 250µJ (off)
  • Eingabetyp:Standard
  • Gate-Gebühr:70 nC
  • td (ein/aus) bei 25 °c:13ns/55ns
  • Testbedingung:390V, 30A, 3Ohm, 15V
  • Rückwärtserholzeit (trr):55 ns
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-247-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-247-3
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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