STGW10M65DF2

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Herstellerteil

STGW10M65DF2

Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - igbts - einzeln
Serie
-
Auf Lager
1198
Datenblätter online
STGW10M65DF2 PDF
Anfrage
  • Serie:M
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • igbt-Typ:Trench Field Stop
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):650 V
  • Strom - Kollektor (ic) (max):20 A
  • Strom - Kollektor gepulst (icm):40 A
  • vce(on) (max) @ vge, ic:2V @ 15V, 10A
  • Leistung max:115 W
  • Schaltenergie:120µJ (on), 270µJ (off)
  • Eingabetyp:Standard
  • Gate-Gebühr:28 nC
  • td (ein/aus) bei 25 °c:19ns/91ns
  • Testbedingung:400V, 10A, 22Ohm, 15V
  • Rückwärtserholzeit (trr):96 ns
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-247-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-247
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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