STS8DN3LLH5

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Herstellerteil

STS8DN3LLH5

Hersteller
STMicroelectronics
Beschreibung
MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - Arrays
Serie
-
Auf Lager
133710
Datenblätter online
STS8DN3LLH5 PDF
Anfrage
  • Serie:STripFET™ V
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:2 N-Channel (Dual)
  • fet-Funktion:Logic Level Gate
  • Drain-Source-Spannung (vdss):30V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:10A
  • rds auf (max) @ id, vgs:19mOhm @ 5A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:1V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:5.4nC @ 4.5V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:724pF @ 25V
  • Leistung max:2.7W
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Gerätepaket des Lieferanten:8-SO
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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