SMUN5116DW1T1G

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Herstellerteil

SMUN5116DW1T1G

Hersteller
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS 2PNP PREBIAS 0.187W SOT363
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays, vorgespannt
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
SMUN5116DW1T1G PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:2 PNP - Pre-Biased (Dual)
  • Strom - Kollektor (ic) (max):100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
  • Widerstand - Basis (r1):4.7kOhms
  • Widerstand - Emitter Basis (r2):-
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:160 @ 5mA, 10V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:250mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):500nA
  • Frequenz - Übergang:-
  • Leistung max:187mW
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Gerätepaket des Lieferanten:SC-88/SC70-6/SOT-363
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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