Name: FQB13N06TM
Brand: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
SKU: FQB13N06TM
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: FQB13N06TM

Hersteller: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 13A D2PAK

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 0

Datenblätter online: FQB13N06TM PDF

FQB13N06TM Notiz

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Serie:QFET®
Paket:Tape & Reel (TR)
Teilstatus:Obsolete
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:13A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
rds auf (max) @ id, vgs:135mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:7.5 nC @ 10 V
vgs (max):±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:310 pF @ 25 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):3.75W (Ta), 45W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:D²PAK (TO-263AB)
Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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