FJN3311RBU

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Herstellerteil

FJN3311RBU

Hersteller
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS PREBIAS NPN 300MW TO92-3
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln, vorgespannt
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
FJN3311RBU PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Obsolete
  • Transistortyp:NPN - Pre-Biased
  • Strom - Kollektor (ic) (max):100 mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):40 V
  • Widerstand - Basis (r1):22 kOhms
  • Widerstand - Emitter Basis (r2):-
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:100 @ 1mA, 5V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:300mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):100nA (ICBO)
  • Frequenz - Übergang:250 MHz
  • Leistung max:300 mW
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-92-3
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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