2SD1685G

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Herstellerteil

2SD1685G

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
20 V, 5 A, LOW VCE(SAT), NPN SIN
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Serie
-
Auf Lager
7400
Datenblätter online
2SD1685G PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Obsolete
  • Transistortyp:NPN
  • Strom - Kollektor (ic) (max):5 A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):20 V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:500mV @ 60mA, 3A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:280 @ 500mA, 2V
  • Leistung max:1.5 W
  • Frequenz - Übergang:120MHz
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-225AA, TO-126-3
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-126ML
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Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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