Name: MJD122-1G
Brand: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
SKU: MJD122-1G
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: MJD122-1G

Hersteller: Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor

Beschreibung: TRANS NPN DARL 100V 8A DPAK

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 0

Datenblätter online: -

MJD122-1G Notiz

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Serie:-
Paket:Tube
Teilstatus:Active
Transistortyp:NPN - Darlington
Strom - Kollektor (ic) (max):8 A
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):100 V
vce Sättigung (max) @ ib, ic:4V @ 80mA, 8A
Strom - Kollektorabschaltung (max):10µA

Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:1000 @ 4A, 4V
Leistung max:1.75 W
Frequenz - Übergang:4MHz
Betriebstemperatur:-65°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Gerätepaket des Lieferanten:DPAK

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