NJVMJD50T4G

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Herstellerteil

NJVMJD50T4G

Hersteller
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN 400V 1A DPAK-4
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Serie
-
Auf Lager
4172
Datenblätter online
NJVMJD50T4G PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:NPN
  • Strom - Kollektor (ic) (max):1 A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):400 V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:1V @ 200mA, 1A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):200µA
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:30 @ 300mA, 10V
  • Leistung max:1.56 W
  • Frequenz - Übergang:10MHz
  • Betriebstemperatur:-65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Gerätepaket des Lieferanten:DPAK
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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