NJVMJD112T4G

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Herstellerteil

NJVMJD112T4G

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 2A, NP
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Serie
-
Auf Lager
41900
Datenblätter online
NJVMJD112T4G PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:NPN - Darlington
  • Strom - Kollektor (ic) (max):2 A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):100 V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:3V @ 40mA, 4A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):20µA
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:1000 @ 2A, 3V
  • Leistung max:20 W
  • Frequenz - Übergang:25MHz
  • Betriebstemperatur:-65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Gerätepaket des Lieferanten:DPAK
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Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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