MJD41CT4G

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Herstellerteil

MJD41CT4G

Hersteller
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS NPN 100V 6A DPAK
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Serie
-
Auf Lager
10082000
Datenblätter online
MJD41CT4G PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:NPN
  • Strom - Kollektor (ic) (max):6 A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):100 V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:1.5V @ 600mA, 6A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):50µA
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:15 @ 3A, 4V
  • Leistung max:1.75 W
  • Frequenz - Übergang:3MHz
  • Betriebstemperatur:-65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Gerätepaket des Lieferanten:DPAK
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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