MJD117-1G

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Herstellerteil

MJD117-1G

Hersteller
Sanyo Semiconductor/ON Semiconductor
Beschreibung
TRANS PNP DARL 100V 2A IPAK
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Serie
-
Auf Lager
1082
Datenblätter online
MJD117-1G PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:PNP - Darlington
  • Strom - Kollektor (ic) (max):2 A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):100 V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:3V @ 40mA, 4A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):20µA
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:1000 @ 2A, 3V
  • Leistung max:1.75 W
  • Frequenz - Übergang:25MHz
  • Betriebstemperatur:-65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Paket / Koffer:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Gerätepaket des Lieferanten:I-PAK
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