MJD200T4G

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Herstellerteil

MJD200T4G

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, 5A, 25
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - einzeln
Serie
-
Auf Lager
11800
Datenblätter online
MJD200T4G PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:NPN
  • Strom - Kollektor (ic) (max):5 A
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):25 V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:1.8V @ 1A, 5A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:45 @ 2A, 1V
  • Leistung max:1.4 W
  • Frequenz - Übergang:65MHz
  • Betriebstemperatur:-65°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Gerätepaket des Lieferanten:DPAK
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Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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