HN1C03FU-B,LF

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Herstellerteil

HN1C03FU-B,LF

Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Beschreibung
NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO20
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays
Serie
-
Auf Lager
2960
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:2 NPN (Dual)
  • Strom - Kollektor (ic) (max):300mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):20V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:100mV @ 3mA, 30A
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:350 @ 4mA, 2V
  • Leistung max:200mW
  • Frequenz - Übergang:30MHz
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Gerätepaket des Lieferanten:US6
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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