HN2C01FEYTE85LF

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Herstellerteil

HN2C01FEYTE85LF

Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Beschreibung
TRANS 2NPN 50V 0.15A ES6
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays
Serie
-
Auf Lager
3825
Datenblätter online
HN2C01FEYTE85LF PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Obsolete
  • Transistortyp:2 NPN (Dual)
  • Strom - Kollektor (ic) (max):150mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:250mV @ 10mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:120 @ 2mA, 6V
  • Leistung max:100mW
  • Frequenz - Übergang:60MHz
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:SOT-563, SOT-666
  • Gerätepaket des Lieferanten:ES6
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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