MC1413DR2

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Herstellerteil

MC1413DR2

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
POWER BIPOLAR TRANSISTOR, NPN
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays
Serie
-
Auf Lager
11521
Datenblätter online
MC1413DR2 PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Obsolete
  • Transistortyp:7 NPN Darlington
  • Strom - Kollektor (ic) (max):500mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:1.6V @ 500µA, 350mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):-
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:1000 @ 350mA, 2V
  • Leistung max:-
  • Frequenz - Übergang:-
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:16-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Gerätepaket des Lieferanten:16-SOIC
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Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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