HN1C01FU-Y,LF

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Herstellerteil

HN1C01FU-Y,LF

Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Beschreibung
NPN + NPN IND. TRANSISTOR VCEO50
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays
Serie
-
Auf Lager
5279
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:2 NPN (Dual)
  • Strom - Kollektor (ic) (max):150mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):50V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:250mV @ 10mA, 100mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:120 @ 2mA, 6V
  • Leistung max:200mW
  • Frequenz - Übergang:80MHz
  • Betriebstemperatur:125°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:6-TSSOP, SC-88, SOT-363
  • Gerätepaket des Lieferanten:US6
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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