HN4A51JTE85LF

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Herstellerteil

HN4A51JTE85LF

Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Beschreibung
TRANS 2PNP 120V 0.1A SMV
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - bipolar (bjt) - Arrays
Serie
-
Auf Lager
1938
Datenblätter online
HN4A51JTE85LF PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • Transistortyp:2 PNP (Dual)
  • Strom - Kollektor (ic) (max):100mA
  • Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max):120V
  • vce Sättigung (max) @ ib, ic:300mV @ 1mA, 10mA
  • Strom - Kollektorabschaltung (max):100nA (ICBO)
  • Gleichstromverstärkung (hfe) (min) @ ic, vce:200 @ 2mA, 6V
  • Leistung max:300mW
  • Frequenz - Übergang:100MHz
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Paket / Koffer:SC-74A, SOT-753
  • Gerätepaket des Lieferanten:SMV
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Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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