IRFB7730PBF

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Herstellerteil

IRFB7730PBF

Hersteller
IR (Infineon Technologies)
Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 195A TO220AB
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
IRFB7730PBF PDF
Anfrage
  • Serie:HEXFET®
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):75 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:195A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):6V, 10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:2.6mOhm @ 100A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3.7V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:407 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:13660 pF @ 25 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):375W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-220AB
  • Paket / Koffer:TO-220-3
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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