Name: PMXB360ENEAZ
Brand: Nexperia
SKU: PMXB360ENEAZ
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: PMXB360ENEAZ

Hersteller: Nexperia

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 277

Datenblätter online: PMXB360ENEAZ PDF

PMXB360ENEAZ Notiz

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Serie:-
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):80 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:1.1A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:450mOhm @ 1.1A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.7V @ 250µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:4.5 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:130 pF @ 40 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):400mW (Ta), 6.25W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:DFN1010D-3
Paket / Koffer:3-XDFN Exposed Pad

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