Name: SIR120DP-T1-RE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: SIR120DP-T1-RE3
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: SIR120DP-T1-RE3

Hersteller: Vishay / Siliconix

Beschreibung: MOSFET N-CH 80V 24.7A/106A PPAK

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 6695

Datenblätter online: -

SIR120DP-T1-RE3 Notiz

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Serie:TrenchFET® Gen IV
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):80 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:24.7A (Ta), 106A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):7.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:3.55mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3.5V @ 250µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:94 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:4150 pF @ 40 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):5.4W (Ta), 100W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:PowerPAK® SO-8
Paket / Koffer:PowerPAK® SO-8

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