RM15N650TI

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Herstellerteil

RM15N650TI

Hersteller
Rectron USA
Beschreibung
MOSFET N-CHANNEL 650V 15A TO220F
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:15A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:260mOhm @ 8A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3.5V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:-
  • vgs (max):±30V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1360 pF @ 50 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):33.5W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-220F
  • Paket / Koffer:TO-220-3 Full Pack
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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