Name: FQI3N30TU
Brand: Rochester Electronics
SKU: FQI3N30TU
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: FQI3N30TU

Hersteller: Rochester Electronics

Beschreibung: MOSFET N-CH 300V 3.2A I2PAK

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 1146

Datenblätter online: FQI3N30TU PDF

FQI3N30TU Notiz

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Serie:QFET®
Paket:Tube
Teilstatus:Obsolete
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):300 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:3.2A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
rds auf (max) @ id, vgs:2.2Ohm @ 1.6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:5V @ 250µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:7 nC @ 10 V
vgs (max):±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:230 pF @ 25 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):3.13W (Ta), 55W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:I2PAK (TO-262)
Paket / Koffer:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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