Name: TP65H035G4WS
Brand: Transphorm
SKU: TP65H035G4WS
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: TP65H035G4WS

Hersteller: Transphorm

Beschreibung: GANFET N-CH 650V 46.5A TO247-3

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 503

Datenblätter online: -

TP65H035G4WS Notiz

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Serie:-
Paket:Tube
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:GaNFET (Cascode Gallium Nitride FET)
Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:46.5A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
rds auf (max) @ id, vgs:41mOhm @ 30A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4.8V @ 1mA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:22 nC @ 0 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1500 pF @ 400 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):156W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C
Befestigungsart:Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:TO-247-3
Paket / Koffer:TO-247-3

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