Name: FQI50N06TU
Brand: Rochester Electronics
SKU: FQI50N06TU
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: FQI50N06TU

Hersteller: Rochester Electronics

Beschreibung: MOSFET N-CH 60V 50A I2PAK

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 1792

Datenblätter online: FQI50N06TU PDF

FQI50N06TU Notiz

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Serie:QFET®
Paket:Bulk
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:50A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
rds auf (max) @ id, vgs:22mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:41 nC @ 10 V
vgs (max):±25V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1.54 pF @ 25 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):3.75W (Ta), 120W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:I2PAK (TO-262)
Paket / Koffer:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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