Name: HUF76629D3S
Brand: Rochester Electronics
SKU: HUF76629D3S
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: HUF76629D3S

Hersteller: Rochester Electronics

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 20A TO252AA

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 46400

Datenblätter online: HUF76629D3S PDF

HUF76629D3S Notiz

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Serie:UltraFET™
Paket:Tube
Teilstatus:Obsolete
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:20A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):-
rds auf (max) @ id, vgs:52mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:46 nC @ 10 V
vgs (max):±16V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1285 pF @ 25 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):110W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:TO-252AA
Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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