Name: TK31J60W5,S1VQ
Brand: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
SKU: TK31J60W5,S1VQ
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: TK31J60W5,S1VQ

Hersteller: Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation

Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO3P

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 0

Datenblätter online: TK31J60W5,S1VQ PDF

TK31J60W5,S1VQ Notiz

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Serie:DTMOSIV
Paket:Tube
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):600 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:30.8A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
rds auf (max) @ id, vgs:88mOhm @ 15.4A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3.7V @ 1.5mA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:105 nC @ 10 V
vgs (max):±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:3000 pF @ 300 V
fet-Funktion:Super Junction
Verlustleistung (max.):230W (Tc)
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:TO-3P(N)
Paket / Koffer:TO-3P-3, SC-65-3

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