FDFS2P103

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Herstellerteil

FDFS2P103

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
MOSFET P-CH 30V 5.3A 8SOIC
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
29870
Datenblätter online
FDFS2P103 PDF
Anfrage
  • Serie:PowerTrench®
  • Paket:Bulk
  • Teilstatus:Obsolete
  • fet-Typ:P-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:5.3A (Ta)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:59mOhm @ 5.3A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:8 nC @ 5 V
  • vgs (max):±25V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:528 pF @ 15 V
  • fet-Funktion:Schottky Diode (Isolated)
  • Verlustleistung (max.):900mW (Ta)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:8-SOIC
  • Paket / Koffer:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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