IRFP2907PBF

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Herstellerteil

IRFP2907PBF

Hersteller
IR (Infineon Technologies)
Beschreibung
MOSFET N-CH 75V 209A TO247AC
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
31815
Datenblätter online
IRFP2907PBF PDF
Anfrage
  • Serie:HEXFET®
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):75 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:209A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:4.5mOhm @ 125A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:620 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:13000 pF @ 25 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):470W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-247AC
  • Paket / Koffer:TO-247-3
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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