Name: FQU12N20TU
Brand: Rochester Electronics
SKU: FQU12N20TU
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: FQU12N20TU

Hersteller: Rochester Electronics

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 9A I-PAK

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 20847

Datenblätter online: FQU12N20TU PDF

FQU12N20TU Notiz

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Serie:QFET®
Paket:Bulk
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):200 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:9A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
rds auf (max) @ id, vgs:280mOhm @ 4.5A, 10V
vgs(th) (max) @ id:5V @ 250µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:23 nC @ 10 V
vgs (max):±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:910 pF @ 25 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):2.5W (Ta), 55W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Through Hole
Gerätepaket des Lieferanten:I-PAK
Paket / Koffer:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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