Name: SIHB12N65E-GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: SIHB12N65E-GE3
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: SIHB12N65E-GE3

Hersteller: Vishay / Siliconix

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 700000

Datenblätter online: SIHB12N65E-GE3 PDF

SIHB12N65E-GE3 Notiz

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Serie:-
Paket:Tube
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:12A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
rds auf (max) @ id, vgs:380mOhm @ 6A, 10V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 250µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:70 nC @ 10 V
vgs (max):±30V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:1224 pF @ 100 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):156W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:D²PAK (TO-263)
Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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