RQ5P010SNTL

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Herstellerteil

RQ5P010SNTL

Hersteller
ROHM Semiconductor
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 1A TSMT3
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
1829
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:1A (Ta)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4V, 10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:520mOhm @ 1A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 1mA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:3.5 nC @ 5 V
  • vgs (max):±20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:140 pF @ 25 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):700mW (Ta)
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:TSMT3
  • Paket / Koffer:SC-96
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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