Name: IRFH8311TRPBF
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: IRFH8311TRPBF
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: IRFH8311TRPBF

Hersteller: IR (Infineon Technologies)

Beschreibung: MOSFET N CH 30V 32A PQFN5X6

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 3297

Datenblätter online: IRFH8311TRPBF PDF

IRFH8311TRPBF Notiz

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Serie:HEXFET®
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:32A (Ta), 169A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:2.1mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.35V @ 100µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:66 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:4960 pF @ 10 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):3.6W (Ta), 96W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:PQFN (5x6)
Paket / Koffer:8-TQFN Exposed Pad

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