NTD4969N-1G

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Herstellerteil

NTD4969N-1G

Hersteller
Rochester Electronics
Beschreibung
MOSFET N-CH 30V 9.4A/41A IPAK
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
16847
Datenblätter online
-
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Obsolete
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):30 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:9.4A (Ta), 41A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):-
  • rds auf (max) @ id, vgs:9mOhm @ 30A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:9 nC @ 4.5 V
  • vgs (max):-
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:837 pF @ 15 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):-
  • Betriebstemperatur:-
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Gerätepaket des Lieferanten:I-PAK
  • Paket / Koffer:TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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