Name: SPB03N60C3ATMA1
Brand: Rochester Electronics
SKU: SPB03N60C3ATMA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: SPB03N60C3ATMA1

Hersteller: Rochester Electronics

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 3.2A TO263-3

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 2000

Datenblätter online: SPB03N60C3ATMA1 PDF

SPB03N60C3ATMA1 Notiz

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Serie:CoolMOS™
Paket:Bulk
Teilstatus:Obsolete
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):650 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:3.2A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
rds auf (max) @ id, vgs:1.4Ohm @ 2A, 10V
vgs(th) (max) @ id:3.9V @ 135µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:17 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:400 pF @ 25 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):38W (Tc)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:PG-TO263-3-2
Paket / Koffer:TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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