Name: RD3G600GNTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: RD3G600GNTL
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: RD3G600GNTL

Hersteller: ROHM Semiconductor

Beschreibung: MOSFET N-CH 40V 60A TO252

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 1964

Datenblätter online: -

RD3G600GNTL Notiz

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Serie:-
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):40 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:60A (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:3.6mOhm @ 60A, 10V
vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 1mA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:46.5 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:3400 pF @ 20 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):40W (Ta)
Betriebstemperatur:150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:TO-252
Paket / Koffer:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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