TSM160N10LCR RLG

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Herstellerteil

TSM160N10LCR RLG

Hersteller
TSC (Taiwan Semiconductor)
Beschreibung
MOSFET N-CH 100V 46A 8PDFN
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
5298
Datenblätter online
TSM160N10LCR RLG PDF
Anfrage
  • Serie:-
  • Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):100 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:46A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:16mOhm @ 8A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.5V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:73 nC @ 10 V
  • vgs (max):±20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:4431 pF @ 50 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):83W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Surface Mount
  • Gerätepaket des Lieferanten:8-PDFN (5x6)
  • Paket / Koffer:8-PowerTDFN
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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