Name: SCT2H12NYTB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: SCT2H12NYTB
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: SCT2H12NYTB

Hersteller: ROHM Semiconductor

Beschreibung: SICFET N-CH 1700V 4A TO268

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 647

Datenblätter online: SCT2H12NYTB PDF

SCT2H12NYTB Notiz

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Serie:-
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:SiCFET (Silicon Carbide)
Drain-Source-Spannung (vdss):1700 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:4A (Tc)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):18V
rds auf (max) @ id, vgs:1.5Ohm @ 1.1A, 18V
vgs(th) (max) @ id:4V @ 410µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:14 nC @ 18 V
vgs (max):+22V, -6V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:184 pF @ 800 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):44W (Tc)
Betriebstemperatur:175°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:TO-268
Paket / Koffer:TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA

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