Name: BSP297H6327XTSA1
Brand: IR (Infineon Technologies)
SKU: BSP297H6327XTSA1
Rating: 5.0 (99 reviews)

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Herstellerteil: BSP297H6327XTSA1

Hersteller: IR (Infineon Technologies)

Beschreibung: MOSFET N-CH 200V 660MA SOT223-4

Kategorie: Diskrete Halbleiterprodukte

Familie: Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln

Serie: -

Auf Lager: 3770

Datenblätter online: BSP297H6327XTSA1 PDF

BSP297H6327XTSA1 Notiz

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Serie:SIPMOS®
Paket:Tape & Reel (TR)Cut Tape (CT)
Teilstatus:Active
fet-Typ:N-Channel
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Drain-Source-Spannung (vdss):200 V
Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:660mA (Ta)
Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
rds auf (max) @ id, vgs:1.8Ohm @ 660mA, 10V
vgs(th) (max) @ id:1.8V @ 400µA

Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:16.1 nC @ 10 V
vgs (max):±20V
Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:357 pF @ 25 V
fet-Funktion:-
Verlustleistung (max.):1.8W (Ta)
Betriebstemperatur:-55°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Surface Mount
Gerätepaket des Lieferanten:PG-SOT223-4
Paket / Koffer:TO-261-4, TO-261AA

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