TK6A60W,S4VX

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Herstellerteil

TK6A60W,S4VX

Hersteller
Toshiba Electronic Devices and Storage Corporation
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 6.2A TO220SIS
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
0
Datenblätter online
TK6A60W,S4VX PDF
Anfrage
  • Serie:DTMOSIV
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):600 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:6.2A (Ta)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:750mOhm @ 3.1A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:3.7V @ 310µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:12 nC @ 10 V
  • vgs (max):±30V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:390 pF @ 300 V
  • fet-Funktion:Super Junction
  • Verlustleistung (max.):30W (Tc)
  • Betriebstemperatur:150°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-220SIS
  • Paket / Koffer:TO-220-3 Full Pack
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Teile sollten unbenutzt und originalverpackt sein.
Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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