IRL60SL216

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Herstellerteil

IRL60SL216

Hersteller
IR (Infineon Technologies)
Beschreibung
MOSFET N-CH 60V 195A TO262-3
Kategorie
Diskrete Halbleiterprodukte
Familie
Transistoren - Fets, Mosfets - einzeln
Serie
-
Auf Lager
22088
Datenblätter online
IRL60SL216 PDF
Anfrage
  • Serie:HEXFET®, StrongIRFET™
  • Paket:Tube
  • Teilstatus:Active
  • fet-Typ:N-Channel
  • Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain-Source-Spannung (vdss):60 V
  • Strom - kontinuierliche Entnahme (id) bei 25 °C:195A (Tc)
  • Antriebsspannung (max rds an, min rds an):4.5V, 10V
  • rds auf (max) @ id, vgs:1.95mOhm @ 100A, 10V
  • vgs(th) (max) @ id:2.4V @ 250µA
  • Gate-Ladung (qg) (max) @ vgs:255 nC @ 4.5 V
  • vgs (max):±20V
  • Eingangskapazität (ciss) (max) @ vds:15330 pF @ 25 V
  • fet-Funktion:-
  • Verlustleistung (max.):375W (Tc)
  • Betriebstemperatur:-55°C ~ 175°C (TJ)
  • Befestigungsart:Through Hole
  • Gerätepaket des Lieferanten:TO-262-3
  • Paket / Koffer:TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Versand Lieferzeitraum Bei vorrätigen Teilen werden Bestellungen voraussichtlich in 3 Tagen versandt.
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Die Versandkosten trägt der Kunde.
Garantie Alle Einkäufe werden mit einem 30-tägigen Geld-zurück-Recht sowie einer 90-tägigen Garantie gegen Herstellungsfehler geliefert.
Diese Garantie gilt nicht für Artikel, bei denen Mängel durch unsachgemäße Montage durch den Kunden, Nichtbeachtung der Anweisungen durch den Kunden, Produktmodifikation, fahrlässige oder unsachgemäße Bedienung verursacht wurden

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